上投摩根,太平基金,安信证券,华宝基金,财通证券,千合资本,3W 资本,中信证券

投资者问答一、公司产线11月全面投产,目前产能情况如何?未来有无扩产计划?答:目前公司现有的衬底片年产能为2.5万片,后续将根据市场订单情况继续进行扩产,预计到明年6月份之前,公司将年产能扩大到10万片。二、公司之前表示在6寸碳化硅的长晶领域有独到的技术支持,想问下目前长晶技术方面有无申请专利?长晶过程的关键点在哪里?答:SiC晶体生长经历了三个阶段,即Acheson法(1891年)、Lely法(1955年)、改进的Lely法(1978年)。Acheson投资者关系活动主要内容介绍法主要用来生产磨料,现在仍是生产磨料的主要方法,鳞状单晶片是副产品。Lely法的应用使SiC晶体生长向前迈进了一步,但是和Acheson法一样,由于无法有效控制成核,单晶尺寸小,阻碍了SiC晶体的应用。1978年,前苏联科学家Tairov和Tsvetkov在前人的基础上,率先使用籽晶生长出SiC单晶,称为改进的Lely法。这是一个划时代的发明,极大地促进了SiC晶体的生长和应用。西屋科学技术中心的科学家对改进的Lely法进行了优化,称之为物理气相输运技术(PVT)。PVT法是目前生长SiC单晶最优异的方法。从SiC晶体生长的简单历史回顾看出,由于Tairov和Tsvetkov两位科学家以论文的形式(Yu.M.TairovandV.F.Tsvetkov,InvestigationofGrowthProcessIngotsofSiliconCarbideSingleCrystal,J.Cryst.Growth,43:209-212,1978)报道了他们的研究成果,而没有申请专利,因此SiC晶体生长技术(这里专指PVT法)是公开的技术,任何单位和个人都有权使用这种方法生长SiC晶体。6英寸碳化硅晶体生长的关键在于温场的调控和籽晶的粘接,这些所谓的“know-how”是晶体生长研究者长期实践的总结,一般是不申请专利的。目前已公开的SiC晶体生长专利主要侧重于生长设备、晶体生长的某些细节或籽晶处理等方面。露笑技术团队经过坚持不懈的技术攻关,全面掌握了生长工艺参数之间的耦合关系,确定了各工艺参数的优值,具备了可重复、可批量生长碳化硅晶体的设备及技术条件。基于技术保密的需要,露笑暂未申请相关专利,待时机成熟后公司会加大专利布局的力度。三、请问公司提供的衬底产品在全球处于什么水平,可否用于SiC功率器件?答:公司生产的6英寸导电型4H-SiC衬底片已通过下游厂商验证,各项参数达到了P级工业应用的国际标准,产品品质处于第一梯队。公司的碳化硅衬底片既可用于碳化硅肖特基二极管(SBD),也可以用于金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)器件,能满足绝大多数场景碳化硅功率器件的要求。四、公司的衬底片应用领域?答:目前碳化硅SBD二极管和MOSFET管,可以广泛应用于新能源汽车、光伏等各个领域。公司的碳化硅衬底片车企和光伏领域都能应用,目前与下游一些知名厂商在积极接洽中。五、公司规模化量产是否能顺利进行?答:目前公司碳化硅衬底片生产工艺稳定,水电气等运行也一切稳定,规模化量产不存在问题。