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一、问答环节

1、请详细下介绍公司产品及产品工艺特点?

答:公司主要产品分为功率放大器芯片、低噪声放大器芯片、收发前端芯片、幅相控制芯片和无源类芯片五类,具体产品包括GaAs/GaN功率放大器芯片、GaAs低噪声放大器芯片、GaAs收发前端芯片、收发多功能放大器芯片、幅相多功能芯片、模拟波束赋形芯片、数控移相器芯片、数控衰减器芯片、功分器芯片、限幅器芯片等。

公司功率放大器芯片主要采用GaAs、GaN工艺,具有宽禁带、高电子迁移率、高压高功率密度的优势,研制多种频段的功率放大器芯片、低噪声放大器芯片、收发多功能芯片,具备高性能、高集成度和高可靠性等特点。对于幅相控制类芯片,公司研制的产品采用GaAs和硅基两种工艺,分别具备不同的技术特点,可适应于客户的各类应用场景,其中GaAs工艺芯片产品在功率容量、功率附加效率、噪声系数等指标上具备优势,硅基工艺芯片产品则在集成度、低功耗和量产成本方面具备显著优势。

公司所研制的芯片具有高性能、高集成度、高可靠性、低成本及高易用性等特点,产品通过严格质量认证,质量等级可达宇航级。公司已拥几百款产品,这些产品成为公司保持与客户长期稳定合作的重要基础。

2、公司持续加大研发投入,请介绍公司研发成果及研发方向?

答:公司研发团队已完成C、X、Ku、K、Ka、W等波段以及超宽带多通道、多波束、低功耗、多功能模拟波束赋形系列化产品,为高集成度、低成本应用场景需求提供核心解决方案。公司不断发展和完善研发团队,致力于相控阵T/R芯片开发和技术创新,合理配置研发资源,聚焦复杂应用场景下相控阵T/R芯片先进架构方案设计及产品研发,以市场需求为导向,结合行业最新发展趋势,重点研制高集成度、高性能、低功耗、低成本系列化MMIC产品。

3、请介绍下主要应用领域技术研发的进展?

答:在地面领域,公司研发团队研制的超高集成度T/R芯片作为关键国产元器件应用于我国多个重要型号项目,目前已完成用户系统验证并进入量产阶段;在卫星通信领域,公司研制的以多通道多波束模拟波束赋形芯片为代表的T/R芯片在行业竞争中具备领先优势,已经过多家大型科研院所系统验证,并持续进行批量供货;在机载领域,公司研发团队研制的多通道波束赋形芯片和收发前端芯片具有小型化、低成本和高可靠等特点,套片已经用户系统验证并已开始批量供货。

4、公司毛利率较上年同期有所下降,是受拓展新业务领域的影响吗?

答:2023年半年度毛利率的波动主要是因为公司的产品结构有一些变化。早期公司星载相控阵T/R芯片销售占比较高,该领域具有系统复杂、发射成本高、技术难度高、可靠性要求高和不可维护等特征,因此产品也相应地具有高性能、高附加值的特点。基于在星载相控阵雷达领域的技术积累,公司拓展产品应用领域进度可观,前期布局的多个地面领域项目逐步量产,2023年上半年交付产品结构变化,地面领域产品占比提高,且地面领域进一步丰富了产品类别和应用场景,因此毛利率相比上年同期有所变动。

随着公司产品应用领域的拓展,地面、机载等领域需求量的扩大,产品线逐渐丰富,综合毛利率虽有一定的波动,但总体趋于稳定。

5、公司所处行业有没有技术壁垒,公司在行业内有哪些优势?

答:相控阵T/R芯片行业本身存在着极高的技术、资质壁垒,作为相控阵无线收发系统的核心元器件,应用领域广泛,在性能、可靠性要求上是非常高的,公司在相控阵T/R芯片领域深耕多年,具有技术先发优势和丰富的产品应用经验。除此之外本行业也存在着市场及客户等高壁垒,公司在产品成本上也具有一定的竞争力,管理体制也相对更灵活,能够快速响应客户需求,为客户提供高质量服务,近年来公司相继承担多项研制任务,在行业内形成了较高的知名度和认可度。

6、简要介绍下公司在卫星通信业务的情况?

答:我国已将卫星通信作为关键核心技术研发和信息产业发展的重点领域,近年来,多个近地轨道卫星星座计划也相继启动,公司充分发挥技术创新优势,领先推出星载和地面用卫星通信相控阵T/R芯片全套解决方案,研制的多通道多波束幅相多功能芯片为代表的T/R芯片,在集成度、功耗、噪声系数等关键性能上具备一定的优势,并已进入主要客户核心供应商名录,与科研院所及优势企业开展合作,卫星通信相控阵T/R芯片产品进入批量生产阶段,下半年将持续交付。随着后续卫星通信加速起量,将成为公司新的业务增长点。