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项目介绍

新存科技于2022年7月成立,目前拥有研发/运营120人团队,科研人员为主,董事长鞠总美国西储大学博士毕业,曾经在IBM/格罗方德;总经理刘博士,顶尖半导体企业工作20年以上。

应用场景变化带来存储芯片发展趋势的改变,重点关注提高容量和提高传输效率,新型存储器需求爆发。

技术优势是比nand存储性能更强,比DRAM成本低,针对温数据存储,即NAND达不到性能要求,DRAM性能过剩成本较高。成本可以做到DRAM的1/3-1/4,性能接近,读取速度在一个数量级(DRAM:30ns;三维新型存储器:80-100ns);首阶段市场:服务器DRAM领域,对比服务器DRAM优势:模组存储的容量更大512G/1T,传统DRAM256GB,插槽更多;存储单价更低,同容量价格DRAM是两倍以上;总持有成本更低,三维新型+DRAM比纯DRAM节省25-30%成本(整个服务器层面);功耗更低;系统数据迁移工作负荷更低;

项目计划:目前产品芯片开发阶段,希望2025年形成第一代产品量产;同步开始第二代产品的开发;

应用方向:主要是数据中心、企业级存储等。

提问:

1、三维新型存储技术的特点。

答:技术特点来看,DRAM速度快,成本高;不同数据对性能/成本要求不同;热数据对读取速度有很高要求,冷数据对成本要求很高,温数据适合新型存储器,既可以满足性能要求,同时控制成本;算一种技术演化,更好提高性能降低成本。

2、数据中心AI服务器成长,带动HBM成长,HBM/PCM关系?

答:模型特点是有很多参数,现有服务器内存容量不足以支持在本地运行,需要几台服务器,PCM容量上有优势,密度是DRAM3-4倍,模型有可能实现本地化运行,HBM也是为了解决容量问题,靠把多个DRAM芯片堆叠在一起,这个方式也可以用三维新型存储芯片实现。

3、代工制造规划和角色?

答:项目运营模式,存储代工线由地方政府主导建设,新存科技由工艺研发团队,会掌握设计研发工艺的所有专利,产线只是提供代工。

4、下游厂商如何看待新型存储技术?

答:温数据需要有新型存储技术支持,从这个角度看这个技术是必须的。

5、温数据定义?

答:定义比较模糊,DRAM能满足但是NAND不能满足的,有些数据对读取要求是几百ns,放在DRAM上成本较高,这些归为温数据。

6、市场空间怎么看?竞争优势?

答:和DRAM相比会有更大的竞争优势,性能接近DRAM速度达到80-100ns,DRAM速度30ns;热数据有一部分都有可能放在新型芯片,成本可以做到DRAM的1/3-1/4,层数做上去成本可能更低;速率还是有很大的成长空间,关键在于存储介质的速度,通过材料介质的优化可能达到DRAM速度。

7、海外大厂威胁?

答:目前为止新型存储技术只面向小容量利基市场,公司的技术是面向主流的大容量市场。

8、英特尔,性能/定位/战略相同和不同之处??

答:英特尔2017年推出产品,2022年因为战略改变停止技术开发。技术上有很多共同处,新存科技立项时考虑到英特尔技术弱点,也考虑了客户的反馈,性能有大幅提高。

9、配套芯片?

答:控制器芯片(相当于NAND主控芯片),配套形成模组;跟客户合作,客户负责控制器芯片/生态推广,提供了相当多的资源;公司主攻存储芯片。

10、公司产品接口?

答:公司产品采用CXL公用接口,应用场景会非常广泛,CXL(协议标准)物理接口是PCIE的物理接口。

11、成本对比情况?

答:DRAM的1/3-1/4,基于DDR4在服务器的应用场景,PCM第一代比NAND贵10倍以上;DRAM比NAND贵50倍以上。

12、其他大厂是否有产品?

答:海外大厂动力不强,会替代原有业务。

西部数据在英特尔退出之后试图组团队研发,但是他们没有自己的产线,研发推进不及预期,相对来说公司进展在前列,接近产业化;

旺宏:三维闪存有计划,跟IBM有合作,还没推出产品,IBM在相变有积累,但是没有推出产品。

13、产能及产品规划进展?

答:25年底形成1w/月,产线10月底开始建设,预计25年Q1-Q2小规模量产;DRAM只能做一层,PCM既可以微缩,也可以堆叠;下一代产品可能会向更多层数堆叠/性能指标改进。

14、英特尔为什么中止?

答:英特尔战略主攻CPU和代工,非主流业务停止或卖掉了。

15、两大客户的验证?

答:小规模提供给客户,目前是研发线,产能比较少,有些客户在做实际应用的验证。

16、其他客户在三维相变存储的需求和规划?

答:目前两大客户是国内云服务器巨头,有自研能力,会在生态上参与,共同推广。大部分云厂商感兴趣,有一些自研投入比较少,期望能有成熟的方案。

17、迁移成本?

答:存在迁移成本,云服务巨头经验比较丰富,有能力迁移。

18、吞吐速率?

答:吞吐率是设计层面的问题,提高并行度,设计上可以优化。