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(一)交流的主要问题及答复

问题1:请问公司未来两年有哪些业绩增长点?

答复:公司未来两年的成长逻辑主要包括以下四个方面:

1、行业整体需求恢复:根据行业分析,服务器及计算机行业去库存已接近尾声,行业预期服务器和PC的需求将从明年开始恢复增长,进而带动公司相关产品的需求持续提升。

2、DDR5持续渗透:2024年将是DDR5渗透的重要时间节点,目前行业主流观点认为,DDR5渗透率将在2024年年中超过50%,到2025年将进一步提升。这将有助于公司DDR5相关产品销售收入在未来两年持续增长。

3、DDR5子代迭代加快:DDR5内存接口芯片的子代迭代已正式开启,其迭代速度较DDR4世代明显加快。2023年第三季度,公司DDR5第一子代RCD芯片需求量持续提升,第二子代RCD芯片开始规模出货,第三子代RCD芯片已于10月在业界率先试产,同时公司正积极开展DDR5第四子代RCD芯片的工程研发。澜起牵头制定DDR5RCD芯片国际标准,研发进度保持相对领先,子代迭代加快将有利于公司维系相关产品的平均销售单价和毛利率在较高水平。

4、新产品开始上量:从2024年开始,公司的几个新产品将逐步上量,包括PCIe5.0Retimer芯片、MRCD/MDB芯片、MXC芯片、CKD芯片等。由于这些新产品都是澜起自研产品,均有望实现较高毛利率水平,同时,澜起在这些领域具有全球首发或全球领先的竞争优势,新产品的上量将对公司未来的业绩产生积极影响。

问题2:某主流CPU厂商日前启动了AIPC加速计划,预计到2025年,AIPC将达到1亿台,请问公司未来有哪些产品用于PC?是否会受益于该产业趋势?

答复:DDR5内存模组配套芯片SPD和PMIC可用于台式机和笔记本电脑,时钟驱动芯片(CKD芯片)未来将用于台式机和笔记本电脑。CKD芯片是JEDEC定义的标准化产品,当DDR5数据速率达到6400MT/s及以上时,台式机及笔记本电脑的UDIMM、SODIMM内存模组,须采用一颗专用的CKD芯片,对内存模组上的时钟信号进行缓冲再驱动,以满足高速时钟信号的完整性和可靠性要求。根据某主流CPU厂家最新产品路线图,其支持DDR56400MT/s的客户端CPU平台预计明年上市,因此,公司的CKD芯片预计明年下半年开始上量。

由于AIPC需要更高带宽的内存提升整体运算性能,如AIPC应用加速,或将进一步提升对更高速率DDR5内存的需求,从而加快客户端新PC平台及CKD芯片未来的上量节奏和整体需求量,公司有望持续受益于该产业趋势。
问题3:服务器行业风向标信骅科技9月环比数据大幅提升,并在10月稳定在这一水平,公司如何展望第四季度及明年服务器行业的需求变化情况?

答复:根据近期行业分析报告及龙头内存模组厂商最新财报中对行业未来的展望来看,认为明年除了AI服务器继续保持高速增长外,服务器总出货量也将恢复增长,服务器行业本轮去库存大概率在今年年底基本结束。

问题4:公司毛利率已经从第一季度的53.29%提升到第三季度的64.80%,主要原因有哪些,未来毛利率水平是否会延续这一趋势?

答复:2023年第三季度,公司毛利率增长主要是因为DDR5内存接口芯片出货量占比提升,特别是DDR5第二子代RCD芯片出货量及其占比显著提升。随着DDR5渗透加快,同时DDR5各子代产品持续迭代,内存接口芯片的平均毛利率有望稳定向上。由于公司现有产品种类较多,不同产品的毛利率差异较大,因此公司综合毛利率与产品结构密切相关,存在不确定性。

问题5:公司DDR5各子代RCD芯片出货情况如何?未来上量的节奏怎样?

答复:2023年第三季度,公司出货的DDR5RCD芯片以第一子代产品为主,同时第二子代RCD芯片已有规模出货,且占比快速提升。根据主流CPU厂商公布的最新产品路线图,其下一代服务器CPU平台(支持DDR5速率为5600MT/S)将于2023年12月发布,预计DDR5第二子代RCD芯片的需求将在明年进一步提升。

问题6:公司内存接口芯片在DDR5世代是否会延续DDR4世代的市场领先地位?

答复:公司保持着在内存接口芯片领域的相对领先态势。公司牵头制定DDR5RCD及MDB芯片的国际标准,研发持续领先。近两年,公司在业界率先试产DDR5第二子代RCD芯片、第三子代RCD芯片,目前正在开展DDR5第四子代RCD芯片的工程研发,公司有信心在未来继续巩固该领域的相对领先地位。

图1:澜起科技DDR5内存接口芯片研发持续领先

问题7:请问MRCD/MDB芯片预计从什么时候开始上量以及上量的节奏如何?目前有哪些终端用户对这个产品感兴趣?

答复:AI及大数据应用的发展以及相关技术的演进推动服务器CPU的内核数量快速增加,迫切需要大幅提高内存系统的带宽,以满足多核CPU中各个内核的数据吞吐要求,服务器高带宽内存模组MRDIMM正是基于这种应用需求而产生。

MRDIMM中文名称为多路合并阵列双列直插内存模组,是一种更高带宽的内存模组,采用了DDR5LRDIMM“1+10”的基础架构,需要搭配1颗MRCD芯片及10颗MDB芯片。与RDIMM相比,MRDIMM可以同时访问内存模组上的两个阵列,提供双倍带宽,第一代产品预计支持8800MT/s速率。

MRCD/MDB用于MRDIMM,相较于同时期的内存接口芯片,其设计更为复杂、支持速率更高,价值量将有所提升。根据行业分析,由于MRDIMM采用了“1颗MRCD+10颗MDB”的架构,随着其未来渗透率的提升,将带动MRCD/MDB(特别是MDB)芯片需求大幅增长。

根据某主流服务器CPU厂家最新产品路线图,其支持MRDIMM的服务器CPU平台计划于明年下半年发布,因此,用于MRDIMM的MRCD/MDB芯片有望从明年开始逐步上量。

从目前观察到的情况来看,由于MRDIMM将在未来高性能数据中心中起到重要作用,头部云计算或互联网厂商对其表示了密切的关注和兴趣。

问题8:如何展望未来PCIe5.0Retimer芯片需求量?公司的产品竞争优势如何?

答复:随着AI服务器需求快速增长,将显著提升PCIeRetimer芯片的需求。以一台典型的配8块GPU的主流AI服务器为例,考虑对信号完整性和传输速率的要求,系统需要配置8颗乃至16颗PCIeRetimer芯片;如果是搭配16块GPU的主流AI服务器,需要配置的PCIeRetimer芯片会相应增加。根据行业分析,PCIe5.0Retimer芯片的市场规模较PCIe4.0有望明显增长,同时,出于供应安全的考虑,客户一般会选择2-3家PCIe5.0Retimer芯片供应商来供货。

作为全球领先的PCIe5.0/CXL2.0Retimer芯片供应商之一,公司自研的PCIeSerDesIP已成功应用于该产品中,自研IP带来了良好的整合性,在产品的时延、信道适应能力方面,公司具有一定的优势。

图2:PCIe5.0Retimer芯片在某主流AI服务器的应用示例

问题9:我们看到近日公司和三星联合发布基于三星PCIeGen5NVMeSSD和澜起PCIe5.0/CXL2.0Retimer的高性能信号完整性解决方案白皮书,请公司介绍一下相关应用。

答复:PCIeRetimer芯片典型应用场景包括:NVMeSSD、AI服务器、Riser卡。此次公司与三星公司联合发布该高性能信号完整性解决方案白皮书,主要针对PCIeRetimer芯片在NVMeSSD的应用。根据白皮书,该方案能够满足当前的高带宽、低延迟要求,充分保障了系统链路的稳定性和系统信号完整性,增强了NVMeSSD在读写过程中的数据传输质量,增加了高速信号的有效传输距离。这一结果展示了澜起科技PCIe5.0/CXL2.0Retimer芯片在PCIeGen5NVMeSSD的应用效果,未来随着PCIeGen5NVMeSSD需求的增加,也将增加对PCIe5.0/CXL2.0Retimer芯片的需求。

问题10:公司新产品CXLMXC芯片可以应用在哪些领域,产品的应用形态有哪些?

答复:CXLMXC芯片基于下游对内存容量持续增长的需求应运而生,主要应用于两个方向,内存扩展和内存池化。首先大规模应用的将是内存扩展,目前主流的内存厂商已相继推出CXL内存扩展产品。公司在去年5月全球首发MXC芯片后,已与全球多家顶级云计算厂商及内存龙头企业开展合作。今年5月,三星电子推出其首款支持CXL2.0的128GBDRAM,并表示将于今年量产,加速下一代存储器解决方案的商用化,公司的MXC芯片被用于该解决方案,是其中的核心控制芯片。除内存扩展之外,另一个应用方向是内存池化,其作用更多是提升整个数据中心的经济效益,比如平衡服务器内存波峰波谷的需求。

CXLMXC芯片目前的产品应用形态主要有两种:EDSFF模组、AIC(AddInCard)连接标准DDR5/4内存模组。

图3:澜起科技CXL内存扩展控制器(MXC)芯片及其应用示例