易方达,国金证券,长城证券,北大方正人寿资管,中信保诚

说明:对于已发布的重复问题,本表不再重复记录。

问题一:具体介绍一下公司集成电路材料测试中心项目。

回答:集成电路材料测试中心项目主要通过检测中心的建设,进一步保障研发,缩短产品认证时间,加快科技成果转化。项目不涉及产能建设,拟建设测试中心大楼15,000㎡并配备具有行业先进水平的实验测试设备,打造国内一流的集成电路关键材料的研发、测试以及高校产学研中心,为科研人员提供良好的实验中心环境。项目主要包括工程建设投资和实验仪器购置两项主要投资支出。实验仪器方面,公司计划购入行业内具有先进水平的光刻机、曝光机、涂布机、蚀刻机等实验设备以及高精度透射电镜(FIB)、扫描电镜能谱(SEM)、高分辨液质、高分辨气质、质谱仪、色谱仪等精度检测及测试仪器。

问题二:光刻胶原材料树脂是公司合成的吗?

回答:公司先进封装用g/i线正性光刻胶、晶圆制造i线正性光刻胶的主要原材料可以外购获得,但先进封装用g/i线负性光刻胶重要原材料丙烯酸树脂被国外光刻胶企业独家垄断供应来源,无外购渠道,需要公司自行合成。公司经过上千次的实验自主研发合成了该款光刻胶的核心树脂材料,保证了后续产品供应的自主可控和稳定性。

问题三:简要介绍超高纯硫酸钴产品。

回答:超高纯硫酸钴产品主要应用于14nm及以下制程的电镀钴工艺超高纯硫酸钴产品,与公司在研产品大马士革铜互联电镀添加剂(28nm)均属于晶圆制造所需的电镀液,属于公司现有电镀液及配套试剂产品在晶圆制造领域的延伸。

A公司授权的技术主要为高纯硫酸钴的金属杂质提纯技术,验证阶段该部分工序仍由A公司完成并提供硫酸钴原液给公司;公司则主要利用自身生产技术中颗粒物过滤相关的纯化工艺技术对原液进行颗粒物的纯化处理以达到客户应用要求。此外,超高纯硫酸钴金属离子杂质控制要求严格,总金属离子杂质含量需要控制在10ppb-100ppm内,铝、砷、钙、铁、镁、镍等金属离子杂质浓度分别控制在1ppb-1ppm范围内。产品量产过程中不能引起金属杂质超标,相关生产设备为满足金属离子控制而采用的各种抛光、衬氟处理来源于公司多年电子化学品的生产经验积累,也应用了公司的生产工艺技术。A公司授权技术主要为其实验室中试产线的制备技术,从实验室到规模量产需要经过工艺放大的过程。放大过程中如何保证产品性能和稳定性也是生产工艺核心技术能力的体现,具有一定技术壁垒。